國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)近日推出三款新型25V DirectFET MOSFET，包括IRF6622控制MOSFET、IRF6628和IRF6629同步MOSFET，主要應用于服務(wù)器和電信系統(tǒng)中的嵌入式CPU電源、VRM模塊，以及嵌入式DC-DC轉(zhuǎn)換器。這些應用需要更高的效率和更好的導熱效果，從而提高功率密度。

IR中國銷售總監(jiān)嚴國富指出："與20V器件相比，新型25V DirectFET器件可提供更充分的電壓裕量，更符合12V應用的需要。而且與同樣有源硅片面積的30V器件相比, 25V器件可以減少功耗。"

IRF6622控制MOSFET的柵極電荷很低(Qg為12μC)，有助減少開關(guān)損耗。據(jù)介紹，經(jīng)過優(yōu)化的IRF6628和IRF6629同步MOSFET，不但傳導損耗低，導通電阻RDS(on)也很低，分別只有1.9mOhms和1.6mOhms。IRF6622采用小罐式DirectFET封裝及SQ占板面積；而IRF6628和IRF6629則采用中罐式DirectFET封裝及MX占板面積。

新型25V DirectFET是專為每相位20A到30A的器件設(shè)計的。在12VIN、1.3VOUT、300kHz的5相位設(shè)計中，如果每相位采用1對IRF6622和IRF6628，再配合IR XPhase芯片組，那么在130A下即可實現(xiàn)88%的效率。在相同條件下，IRF6622和IRF6629的組合效率更高，在130A時可達88.5%。