這些超小型雙晶體管的集電極電流(IC)最大值可達(dá)2A，能夠處理高達(dá)3A的峰值電流。同時(shí)，它們的效率極高，具有低至60mV的超低飽和電壓(PBSS4230PANP)，使其針對(duì)移動(dòng)應(yīng)用具有更低的功耗和更長(zhǎng)的電池壽命。采用DFN2020-6封裝的全新雙晶體管非常適合用于負(fù)載和電源開(kāi)關(guān)、智能手機(jī)和平板電腦等便攜式應(yīng)用中的電源管理和充電電路、背光裝置以及其他空間受限型應(yīng)用。恩智浦采用DFN2020封裝的所有全新低VCEsat雙晶體管產(chǎn)品均符合AEC-Q101汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)。

　　DFN2020-6比標(biāo)準(zhǔn)SO8封裝小8倍，具有出色的熱功耗能力(Ptot=1W)。具有熱沉的DFN封裝僅0.6mm高，因此可替代SO8或SOT457等許多尺寸較大的晶體管封裝。

　　全新的DFN2020封裝類(lèi)產(chǎn)品豐富了恩智浦的低VCEsat晶體管產(chǎn)品組合，目前已包括36款采用無(wú)引腳和標(biāo)準(zhǔn)SMD封裝的雙晶體管，以及250多種高達(dá)500V和7A的單晶體管。

　　恩智浦采用DFN2020-6封裝的全新低VCEsat雙晶體管：http：//www.nxp.com/group/10921

　　集電極電壓最高的全新產(chǎn)品（PBSS4112PAN，120V，1ANPN/NPN）：http：//www.nxp.com/pip/PBSS4112PAN

　　飽和電壓最低的全新產(chǎn)品（PBSS4230PANP，30V，2ANPN/PNP，VCEsat：60mV）：http：//www.nxp.com/pip/PBSS4230PANP

　　DFN2020-6(SOT1118)封裝信息頁(yè)面：http：//www.nxp.com/packages/SOT1118.html