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國家半導(dǎo)體技術(shù)工程化研究平臺(tái)落戶廊坊

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-20     來源:[標(biāo)簽:出處]     作者:[標(biāo)簽:作者]     瀏覽次數(shù):44
核心提示:

中國科學(xué)院在廊坊經(jīng)開區(qū)科技谷園區(qū)建設(shè)半導(dǎo)體技術(shù)工程化研究平臺(tái)可研報(bào)告,近日獲國家發(fā)改委批復(fù)。

該研究平臺(tái)項(xiàng)目總建筑面積24343平方米,總投資13540萬元,其中國家安排投資6600萬元。建設(shè)內(nèi)容包括半導(dǎo)體材料工程化平臺(tái)、光電子器件工程化平臺(tái)等試驗(yàn)和研究平臺(tái)及相關(guān)輔助設(shè)施。

該研究平臺(tái)建成后,將為國家提供急需的高性能半導(dǎo)體材料、光電器件、光電系統(tǒng)等先進(jìn)工程化技術(shù),推動(dòng)我國在半導(dǎo)體優(yōu)質(zhì)材料、半導(dǎo)體傳感器等方面的發(fā)展。同時(shí),該平臺(tái)也將加速相關(guān)技術(shù)的實(shí)用化、產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程,為研發(fā)中試成果在廊坊轉(zhuǎn)化落地提供可靠的技術(shù)保障。

作 者: 通訊員王衛(wèi)國、王文珩 記者解麗達(dá)


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